Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NVD5413NT4G

NVD5413NT4G

MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
Numer części
NVD5413NT4G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
68W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
26 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
46nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1725pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 26229 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe NVD5413NT4G
NVD5413NT4G Części elektroniczne
NVD5413NT4G Obroty
NVD5413NT4G Dostawca
NVD5413NT4G Dystrybutor
NVD5413NT4G Tabela danych
NVD5413NT4G Zdjęcia
NVD5413NT4G Cena
NVD5413NT4G Oferta
NVD5413NT4G Najniższa cena
NVD5413NT4G Szukaj
NVD5413NT4G Nabywczy
NVD5413NT4G Chip