NVD5807NT4G
MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Numer części
NVD5807NT4G
Producent/marka
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
33W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
603pF @ 25V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41080 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NVD5807NT4G
NVD5807NT4G Części elektroniczne
NVD5807NT4G Obroty
NVD5807NT4G Dostawca
NVD5807NT4G Dystrybutor
NVD5807NT4G Tabela danych
NVD5807NT4G Zdjęcia
NVD5807NT4G Cena
NVD5807NT4G Oferta
NVD5807NT4G Najniższa cena
NVD5807NT4G Szukaj
NVD5807NT4G Nabywczy
NVD5807NT4G Chip