NVD5803NT4G
MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Numer części
NVD5803NT4G
Producent/marka
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
83W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Napięcie dren-źródło (Vdss)
40V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3220pF @ 25V
Vgs (maks.)
±20V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V, 10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 35230 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NVD5803NT4G
NVD5803NT4G Części elektroniczne
NVD5803NT4G Obroty
NVD5803NT4G Dostawca
NVD5803NT4G Dystrybutor
NVD5803NT4G Tabela danych
NVD5803NT4G Zdjęcia
NVD5803NT4G Cena
NVD5803NT4G Oferta
NVD5803NT4G Najniższa cena
NVD5803NT4G Szukaj
NVD5803NT4G Nabywczy
NVD5803NT4G Chip