Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NVB6413ANT4G
MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK
Numer części
NVB6413ANT4G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
136W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
51nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 27410 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NVB6413ANT4G
NVB6413ANT4G Części elektroniczne
NVB6413ANT4G Obroty
NVB6413ANT4G Dostawca
NVB6413ANT4G Dystrybutor
NVB6413ANT4G Tabela danych
NVB6413ANT4G Zdjęcia
NVB6413ANT4G Cena
NVB6413ANT4G Oferta
NVB6413ANT4G Najniższa cena
NVB6413ANT4G Szukaj
NVB6413ANT4G Nabywczy
NVB6413ANT4G Chip