Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NVATS4A103PZT4G
MOSFET P-CHANNEL 30V 60A ATPAK
Numer części
NVATS4A103PZT4G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
ATPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
60W (Tc)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.6V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
47nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2430pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53013 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NVATS4A103PZT4G
NVATS4A103PZT4G Części elektroniczne
NVATS4A103PZT4G Obroty
NVATS4A103PZT4G Dostawca
NVATS4A103PZT4G Dystrybutor
NVATS4A103PZT4G Tabela danych
NVATS4A103PZT4G Zdjęcia
NVATS4A103PZT4G Cena
NVATS4A103PZT4G Oferta
NVATS4A103PZT4G Najniższa cena
NVATS4A103PZT4G Szukaj
NVATS4A103PZT4G Nabywczy
NVATS4A103PZT4G Chip