Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NTS2101PT1G
MOSFET P-CH 8V 1.4A SOT-323
Numer części
NTS2101PT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-70, SOT-323
Pakiet urządzeń dostawcy
SC-70-3 (SOT323)
Rozpraszanie mocy (maks.)
290mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
8V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
700mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
6.4nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
640pF @ 8V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33432 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NTS2101PT1G
NTS2101PT1G Części elektroniczne
NTS2101PT1G Obroty
NTS2101PT1G Dostawca
NTS2101PT1G Dystrybutor
NTS2101PT1G Tabela danych
NTS2101PT1G Zdjęcia
NTS2101PT1G Cena
NTS2101PT1G Oferta
NTS2101PT1G Najniższa cena
NTS2101PT1G Szukaj
NTS2101PT1G Nabywczy
NTS2101PT1G Chip