NTR5198NLT1G
MOSFET N-CH 60V 1.7A SOT23
Numer części
NTR5198NLT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Rozpraszanie mocy (maks.)
900mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
155 mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
182pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 36878 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NTR5198NLT1G
NTR5198NLT1G Części elektroniczne
NTR5198NLT1G Obroty
NTR5198NLT1G Dostawca
NTR5198NLT1G Dystrybutor
NTR5198NLT1G Tabela danych
NTR5198NLT1G Zdjęcia
NTR5198NLT1G Cena
NTR5198NLT1G Oferta
NTR5198NLT1G Najniższa cena
NTR5198NLT1G Szukaj
NTR5198NLT1G Nabywczy
NTR5198NLT1G Chip