Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NTR3162PT1G
MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23
Numer części
NTR3162PT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Rozpraszanie mocy (maks.)
480mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10.3nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
940pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 7348 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NTR3162PT1G
NTR3162PT1G Części elektroniczne
NTR3162PT1G Obroty
NTR3162PT1G Dostawca
NTR3162PT1G Dystrybutor
NTR3162PT1G Tabela danych
NTR3162PT1G Zdjęcia
NTR3162PT1G Cena
NTR3162PT1G Oferta
NTR3162PT1G Najniższa cena
NTR3162PT1G Szukaj
NTR3162PT1G Nabywczy
NTR3162PT1G Chip