Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NTGS3130NT1G
MOSFET N-CH 20V 4.2A 6-TSOP
Numer części
NTGS3130NT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SOT-23-6
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
600mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
20.3nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
935pF @ 16V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17956 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NTGS3130NT1G
NTGS3130NT1G Części elektroniczne
NTGS3130NT1G Obroty
NTGS3130NT1G Dostawca
NTGS3130NT1G Dystrybutor
NTGS3130NT1G Tabela danych
NTGS3130NT1G Zdjęcia
NTGS3130NT1G Cena
NTGS3130NT1G Oferta
NTGS3130NT1G Najniższa cena
NTGS3130NT1G Szukaj
NTGS3130NT1G Nabywczy
NTGS3130NT1G Chip