Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
NID9N05ACLT4G

NID9N05ACLT4G

MOSFET N-CH 52V 9A LL DPAK-3
Numer części
NID9N05ACLT4G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.74W (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
52V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 9A, 12V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
250pF @ 40V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
3V, 12V
Vgs (maks.)
±15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20349 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe NID9N05ACLT4G
NID9N05ACLT4G Części elektroniczne
NID9N05ACLT4G Obroty
NID9N05ACLT4G Dostawca
NID9N05ACLT4G Dystrybutor
NID9N05ACLT4G Tabela danych
NID9N05ACLT4G Zdjęcia
NID9N05ACLT4G Cena
NID9N05ACLT4G Oferta
NID9N05ACLT4G Najniższa cena
NID9N05ACLT4G Szukaj
NID9N05ACLT4G Nabywczy
NID9N05ACLT4G Chip