Kup ON Semiconductor NDT01N60T1G MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Wyświetl informacje Arkusze danych

NDT01N60T1G

MOSFET N-CH 600V 0.4A SOT223

Numer części

NDT01N60T1G

Producent/marka

ON Semiconductor

Seria

Stan części

Obsolete

Opakowanie

Tape & Reel (TR)

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

TO-261-4, TO-261AA

Pakiet urządzeń dostawcy

SOT-223 (TO-261)

Rozpraszanie mocy (maks.)

2.5W (Tc)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

600V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

400mA (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5 Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.7V @ 50µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

7.2nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

160pF @ 25V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

10V

Vgs (maks.)

±30V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 29749 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane