NDS332P
MOSFET P-CH 20V 1A SSOT3
Numer części
NDS332P
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SuperSOT-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
5nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
195pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.7V, 4.5V
Vgs (maks.)
±8V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 43680 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe NDS332P
NDS332P Części elektroniczne
NDS332P Obroty
NDS332P Dostawca
NDS332P Dystrybutor
NDS332P Tabela danych
NDS332P Zdjęcia
NDS332P Cena
NDS332P Oferta
NDS332P Najniższa cena
NDS332P Szukaj
NDS332P Nabywczy
NDS332P Chip