MTD10N10ELT4
MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Numer części
MTD10N10ELT4
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Pakiet urządzeń dostawcy
DPAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.75W (Ta), 40W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
15nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1040pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
±15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 9825 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe MTD10N10ELT4
MTD10N10ELT4 Części elektroniczne
MTD10N10ELT4 Obroty
MTD10N10ELT4 Dostawca
MTD10N10ELT4 Dystrybutor
MTD10N10ELT4 Tabela danych
MTD10N10ELT4 Zdjęcia
MTD10N10ELT4 Cena
MTD10N10ELT4 Oferta
MTD10N10ELT4 Najniższa cena
MTD10N10ELT4 Szukaj
MTD10N10ELT4 Nabywczy
MTD10N10ELT4 Chip