MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23
Numer części
MGSF1N02LT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3 (TO-236)
Rozpraszanie mocy (maks.)
400mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
750mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
125pF @ 5V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 47801 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe MGSF1N02LT1G
MGSF1N02LT1G Części elektroniczne
MGSF1N02LT1G Obroty
MGSF1N02LT1G Dostawca
MGSF1N02LT1G Dystrybutor
MGSF1N02LT1G Tabela danych
MGSF1N02LT1G Zdjęcia
MGSF1N02LT1G Cena
MGSF1N02LT1G Oferta
MGSF1N02LT1G Najniższa cena
MGSF1N02LT1G Szukaj
MGSF1N02LT1G Nabywczy
MGSF1N02LT1G Chip