HGT1S10N120BNST
IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Numer części
HGT1S10N120BNST
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Typ wejścia
Standard
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Moc - maks
298W
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-263AB
Odwrotny czas przywracania (trr)
-
Prąd – kolektor (Ic) (maks.)
35A
Napięcie — awaria emitera kolektora (maks.)
1200V
Typ IGBT
NPT
Vce(wł.) (maks.) @ Vge, Ic
2.7V @ 15V, 10A
Prąd — impulsowy kolektor (Icm)
80A
Przełączanie energii
320µJ (on), 800µJ (off)
Opłata za bramę
100nC
Td (wł./wył.) @ 25°C
23ns/165ns
Warunek testowy
960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 8135 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe HGT1S10N120BNST
HGT1S10N120BNST Części elektroniczne
HGT1S10N120BNST Obroty
HGT1S10N120BNST Dostawca
HGT1S10N120BNST Dystrybutor
HGT1S10N120BNST Tabela danych
HGT1S10N120BNST Zdjęcia
HGT1S10N120BNST Cena
HGT1S10N120BNST Oferta
HGT1S10N120BNST Najniższa cena
HGT1S10N120BNST Szukaj
HGT1S10N120BNST Nabywczy
HGT1S10N120BNST Chip