Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
FQB50N06TM

FQB50N06TM

MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Numer części
FQB50N06TM
Producent/marka
Seria
QFET®
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK (TO-263AB)
Rozpraszanie mocy (maks.)
3.75W (Ta), 120W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
41nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1540pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24980 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe FQB50N06TM
FQB50N06TM Części elektroniczne
FQB50N06TM Obroty
FQB50N06TM Dostawca
FQB50N06TM Dystrybutor
FQB50N06TM Tabela danych
FQB50N06TM Zdjęcia
FQB50N06TM Cena
FQB50N06TM Oferta
FQB50N06TM Najniższa cena
FQB50N06TM Szukaj
FQB50N06TM Nabywczy
FQB50N06TM Chip