FDN302P
MOSFET P-CH 20V 2.4A SSOT3
Numer części
FDN302P
Producent/marka
Seria
PowerTrench®
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SuperSOT-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
500mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
2.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 2.4A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
14nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
882pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
2.5V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 15029 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe FDN302P
FDN302P Części elektroniczne
FDN302P Obroty
FDN302P Dostawca
FDN302P Dystrybutor
FDN302P Tabela danych
FDN302P Zdjęcia
FDN302P Cena
FDN302P Oferta
FDN302P Najniższa cena
FDN302P Szukaj
FDN302P Nabywczy
FDN302P Chip