Kup ON Semiconductor FDC855N MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.

Arkusze danych

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

Numer części

FDC855N

Producent/marka

ON Semiconductor

Seria

PowerTrench®

Stan części

Active

Opakowanie

Digi-Reel®

Technologia

MOSFET (Metal Oxide)

temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)

Typ mocowania

Surface Mount

Opakowanie/etui

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Pakiet urządzeń dostawcy

SuperSOT™-6

Rozpraszanie mocy (maks.)

1.6W (Ta)

Typ FET

N-Channel

Funkcja FET

Napięcie dren-źródło (Vdss)

30V

Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C

6.1A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 6.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs

13nC @ 10V

Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

655pF @ 15V

Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)

4.5V, 10V

Vgs (maks.)

±20V

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.

W magazynie 10154 PCS

Informacje kontaktowe

Produkty powiązane

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC855N

MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-SSOT

ON Semiconductor

FDC8601