Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
FDB52N20TM

FDB52N20TM

MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK
Numer części
FDB52N20TM
Producent/marka
Seria
UniFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D²PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
49 mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
63nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 41395 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe FDB52N20TM
FDB52N20TM Części elektroniczne
FDB52N20TM Obroty
FDB52N20TM Dostawca
FDB52N20TM Dystrybutor
FDB52N20TM Tabela danych
FDB52N20TM Zdjęcia
FDB52N20TM Cena
FDB52N20TM Oferta
FDB52N20TM Najniższa cena
FDB52N20TM Szukaj
FDB52N20TM Nabywczy
FDB52N20TM Chip