ECH8309-TL-H
MOSFET P-CH 12V 9.5A ECH8
Numer części
ECH8309-TL-H
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-SMD, Flat Lead
Pakiet urządzeń dostawcy
8-ECH
Rozpraszanie mocy (maks.)
1.5W (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
12V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
1780pF @ 6V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±10V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20673 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe ECH8309-TL-H
ECH8309-TL-H Części elektroniczne
ECH8309-TL-H Obroty
ECH8309-TL-H Dostawca
ECH8309-TL-H Dystrybutor
ECH8309-TL-H Tabela danych
ECH8309-TL-H Zdjęcia
ECH8309-TL-H Cena
ECH8309-TL-H Oferta
ECH8309-TL-H Najniższa cena
ECH8309-TL-H Szukaj
ECH8309-TL-H Nabywczy
ECH8309-TL-H Chip