Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
BVSS84LT1G

BVSS84LT1G

MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3
Numer części
BVSS84LT1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-23-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
225mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
50V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
130mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
2.2nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
36pF @ 5V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 53123 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe BVSS84LT1G
BVSS84LT1G Części elektroniczne
BVSS84LT1G Obroty
BVSS84LT1G Dostawca
BVSS84LT1G Dystrybutor
BVSS84LT1G Tabela danych
BVSS84LT1G Zdjęcia
BVSS84LT1G Cena
BVSS84LT1G Oferta
BVSS84LT1G Najniższa cena
BVSS84LT1G Szukaj
BVSS84LT1G Nabywczy
BVSS84LT1G Chip