Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
BS107ARL1G
MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92
Numer części
BS107ARL1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-92-3
Rozpraszanie mocy (maks.)
350mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4 Ohm @ 250mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10163 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe BS107ARL1G
BS107ARL1G Części elektroniczne
BS107ARL1G Obroty
BS107ARL1G Dostawca
BS107ARL1G Dystrybutor
BS107ARL1G Tabela danych
BS107ARL1G Zdjęcia
BS107ARL1G Cena
BS107ARL1G Oferta
BS107ARL1G Najniższa cena
BS107ARL1G Szukaj
BS107ARL1G Nabywczy
BS107ARL1G Chip