Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SC-73
Numer części
PMT200EN,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tape & Reel (TR)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-261-4, TO-261AA
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-223
Rozpraszanie mocy (maks.)
800mW (Ta), 8.3W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
235 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
475pF @ 80V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42738 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMT200EN,115
PMT200EN,115 Części elektroniczne
PMT200EN,115 Obroty
PMT200EN,115 Dostawca
PMT200EN,115 Dystrybutor
PMT200EN,115 Tabela danych
PMT200EN,115 Zdjęcia
PMT200EN,115 Cena
PMT200EN,115 Oferta
PMT200EN,115 Najniższa cena
PMT200EN,115 Szukaj
PMT200EN,115 Nabywczy
PMT200EN,115 Chip