PMN20EN,115
MOSFET N-CH 30V 6TSOP
Numer części
PMN20EN,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
SC-74, SOT-457
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
545mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
6.7A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 6.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
18.6nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
630pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 20430 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMN20EN,115
PMN20EN,115 Części elektroniczne
PMN20EN,115 Obroty
PMN20EN,115 Dostawca
PMN20EN,115 Dystrybutor
PMN20EN,115 Tabela danych
PMN20EN,115 Zdjęcia
PMN20EN,115 Cena
PMN20EN,115 Oferta
PMN20EN,115 Najniższa cena
PMN20EN,115 Szukaj
PMN20EN,115 Nabywczy
PMN20EN,115 Chip