PMG45UN,115
MOSFET N-CH 20V 3A SOT363
Numer części
PMG45UN,115
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pakiet urządzeń dostawcy
6-TSSOP
Rozpraszanie mocy (maks.)
375mW (Ta), 4.35W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
3.3nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
184pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
-
Vgs (maks.)
-
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 12979 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMG45UN,115
PMG45UN,115 Części elektroniczne
PMG45UN,115 Obroty
PMG45UN,115 Dostawca
PMG45UN,115 Dystrybutor
PMG45UN,115 Tabela danych
PMG45UN,115 Zdjęcia
PMG45UN,115 Cena
PMG45UN,115 Oferta
PMG45UN,115 Najniższa cena
PMG45UN,115 Szukaj
PMG45UN,115 Nabywczy
PMG45UN,115 Chip