PHB110NQ06LT,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Numer części
PHB110NQ06LT,118
Producent/marka
Seria
TrenchMOS™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pakiet urządzeń dostawcy
D2PAK
Rozpraszanie mocy (maks.)
200W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
55V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
45nC @ 5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
3960pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
4.5V, 10V
Vgs (maks.)
±15V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 5938 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PHB110NQ06LT,118
PHB110NQ06LT,118 Części elektroniczne
PHB110NQ06LT,118 Obroty
PHB110NQ06LT,118 Dostawca
PHB110NQ06LT,118 Dystrybutor
PHB110NQ06LT,118 Tabela danych
PHB110NQ06LT,118 Zdjęcia
PHB110NQ06LT,118 Cena
PHB110NQ06LT,118 Oferta
PHB110NQ06LT,118 Najniższa cena
PHB110NQ06LT,118 Szukaj
PHB110NQ06LT,118 Nabywczy
PHB110NQ06LT,118 Chip