PMV40UN2R
MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23
Numer części
PMV40UN2R
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
490mW (Ta)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
30V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
44 mOhm @ 3.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
635pF @ 15V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.8V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 12265 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMV40UN2R
PMV40UN2R Części elektroniczne
PMV40UN2R Obroty
PMV40UN2R Dostawca
PMV40UN2R Dystrybutor
PMV40UN2R Tabela danych
PMV40UN2R Zdjęcia
PMV40UN2R Cena
PMV40UN2R Oferta
PMV40UN2R Najniższa cena
PMV40UN2R Szukaj
PMV40UN2R Nabywczy
PMV40UN2R Chip