PMV30UN2R
MOSFET N-CH 20V SOT23
Numer części
PMV30UN2R
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
490mW (Ta), 5W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
20V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
32 mOhm @ 4.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
11nC @ 4.5V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
655pF @ 10V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
1.2V, 4.5V
Vgs (maks.)
±12V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33683 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe PMV30UN2R
PMV30UN2R Części elektroniczne
PMV30UN2R Obroty
PMV30UN2R Dostawca
PMV30UN2R Dystrybutor
PMV30UN2R Tabela danych
PMV30UN2R Zdjęcia
PMV30UN2R Cena
PMV30UN2R Oferta
PMV30UN2R Najniższa cena
PMV30UN2R Szukaj
PMV30UN2R Nabywczy
PMV30UN2R Chip