Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APTM100SK40T1G

APTM100SK40T1G

MOSFET N-CH 1000V 20A SP1
Numer części
APTM100SK40T1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Bulk
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SP1
Pakiet urządzeń dostawcy
SP1
Rozpraszanie mocy (maks.)
357W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
480 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
260nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
6800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 18990 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe APTM100SK40T1G
APTM100SK40T1G Części elektroniczne
APTM100SK40T1G Obroty
APTM100SK40T1G Dostawca
APTM100SK40T1G Dystrybutor
APTM100SK40T1G Tabela danych
APTM100SK40T1G Zdjęcia
APTM100SK40T1G Cena
APTM100SK40T1G Oferta
APTM100SK40T1G Najniższa cena
APTM100SK40T1G Szukaj
APTM100SK40T1G Nabywczy
APTM100SK40T1G Chip