Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APTM100A12STG
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Numer części
APTM100A12STG
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Discontinued at Digi-Key
Opakowanie
Bulk
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SP3
Moc - maks
1250W
Pakiet urządzeń dostawcy
SP3
Typ FET
2 N-Channel (Half Bridge)
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V (1kV)
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
616nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
17400pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45981 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe APTM100A12STG
APTM100A12STG Części elektroniczne
APTM100A12STG Obroty
APTM100A12STG Dostawca
APTM100A12STG Dystrybutor
APTM100A12STG Tabela danych
APTM100A12STG Zdjęcia
APTM100A12STG Cena
APTM100A12STG Oferta
APTM100A12STG Najniższa cena
APTM100A12STG Szukaj
APTM100A12STG Nabywczy
APTM100A12STG Chip