Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APTM100DA18T1G
MOSFET N-CH 1000V 40A SP1
Numer części
APTM100DA18T1G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Bulk
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SP1
Pakiet urządzeń dostawcy
SP1
Rozpraszanie mocy (maks.)
657W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
570nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
14800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 42597 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe APTM100DA18T1G
APTM100DA18T1G Części elektroniczne
APTM100DA18T1G Obroty
APTM100DA18T1G Dostawca
APTM100DA18T1G Dystrybutor
APTM100DA18T1G Tabela danych
APTM100DA18T1G Zdjęcia
APTM100DA18T1G Cena
APTM100DA18T1G Oferta
APTM100DA18T1G Najniższa cena
APTM100DA18T1G Szukaj
APTM100DA18T1G Nabywczy
APTM100DA18T1G Chip