Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APT58MJ50J
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Numer części
APT58MJ50J
Producent/marka
Seria
POWER MOS 8™
Stan części
Preliminary
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOTOP®
Rozpraszanie mocy (maks.)
540W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
340nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 28727 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe APT58MJ50J
APT58MJ50J Części elektroniczne
APT58MJ50J Obroty
APT58MJ50J Dostawca
APT58MJ50J Dystrybutor
APT58MJ50J Tabela danych
APT58MJ50J Zdjęcia
APT58MJ50J Cena
APT58MJ50J Oferta
APT58MJ50J Najniższa cena
APT58MJ50J Szukaj
APT58MJ50J Nabywczy
APT58MJ50J Chip