Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APT5010B2LLG

APT5010B2LLG

MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
Numer części
APT5010B2LLG
Producent/marka
Seria
POWER MOS 7®
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3 Variant
Pakiet urządzeń dostawcy
T-MAX™ [B2]
Rozpraszanie mocy (maks.)
520W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100 mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
95nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4360pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 21802 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe APT5010B2LLG
APT5010B2LLG Części elektroniczne
APT5010B2LLG Obroty
APT5010B2LLG Dostawca
APT5010B2LLG Dystrybutor
APT5010B2LLG Tabela danych
APT5010B2LLG Zdjęcia
APT5010B2LLG Cena
APT5010B2LLG Oferta
APT5010B2LLG Najniższa cena
APT5010B2LLG Szukaj
APT5010B2LLG Nabywczy
APT5010B2LLG Chip