Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
APT1001R1BN
MOSFET N-CH 1000V 10.5A TO247AD
Numer części
APT1001R1BN
Producent/marka
Seria
POWER MOS IV®
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-247-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-247AD
Rozpraszanie mocy (maks.)
310W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
1000V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.1 Ohm @ 5.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
130nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2950pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 37761 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe APT1001R1BN
APT1001R1BN Części elektroniczne
APT1001R1BN Obroty
APT1001R1BN Dostawca
APT1001R1BN Dystrybutor
APT1001R1BN Tabela danych
APT1001R1BN Zdjęcia
APT1001R1BN Cena
APT1001R1BN Oferta
APT1001R1BN Najniższa cena
APT1001R1BN Szukaj
APT1001R1BN Nabywczy
APT1001R1BN Chip