VP2110K1-G
MOSFET P-CH 100V 0.12A SOT23-3
Numer części
VP2110K1-G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Digi-Reel®
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-236AB (SOT23)
Rozpraszanie mocy (maks.)
360mW (Ta)
Typ FET
P-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
120mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
60pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
5V, 10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 45544 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe VP2110K1-G
VP2110K1-G Części elektroniczne
VP2110K1-G Obroty
VP2110K1-G Dostawca
VP2110K1-G Dystrybutor
VP2110K1-G Tabela danych
VP2110K1-G Zdjęcia
VP2110K1-G Cena
VP2110K1-G Oferta
VP2110K1-G Najniższa cena
VP2110K1-G Szukaj
VP2110K1-G Nabywczy
VP2110K1-G Chip