TC6320K6-G
MOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
Numer części
TC6320K6-G
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Cut Tape (CT)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
8-VDFN Exposed Pad
Moc - maks
-
Pakiet urządzeń dostawcy
8-DFN (4x4)
Typ FET
N and P-Channel
Funkcja FET
Standard
Napięcie dren-źródło (Vdss)
200V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
-
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
110pF @ 25V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 39469 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe TC6320K6-G
TC6320K6-G Części elektroniczne
TC6320K6-G Obroty
TC6320K6-G Dostawca
TC6320K6-G Dystrybutor
TC6320K6-G Tabela danych
TC6320K6-G Zdjęcia
TC6320K6-G Cena
TC6320K6-G Oferta
TC6320K6-G Najniższa cena
TC6320K6-G Szukaj
TC6320K6-G Nabywczy
TC6320K6-G Chip