Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXRFSM18N50

IXRFSM18N50

18A 500V MOSFET IN SMPD PACKAGE
Numer części
IXRFSM18N50
Producent/marka
Seria
SMPD
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
16-BESOP (0.790", 20.11mm Width), 15 Leads, Exposed Pad
Pakiet urządzeń dostawcy
16-SMPD
Rozpraszanie mocy (maks.)
835W
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
340 mOhm @ 9.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
42nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2250pF @ 400V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
20V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 11027 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXRFSM18N50
IXRFSM18N50 Części elektroniczne
IXRFSM18N50 Obroty
IXRFSM18N50 Dostawca
IXRFSM18N50 Dystrybutor
IXRFSM18N50 Tabela danych
IXRFSM18N50 Zdjęcia
IXRFSM18N50 Cena
IXRFSM18N50 Oferta
IXRFSM18N50 Najniższa cena
IXRFSM18N50 Szukaj
IXRFSM18N50 Nabywczy
IXRFSM18N50 Chip