Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
MMIX1F180N25T
MOSFET N-CH 250V 130A SMPD
Numer części
MMIX1F180N25T
Producent/marka
Seria
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Surface Mount
Opakowanie/etui
24-PowerSMD, 21 Leads
Pakiet urządzeń dostawcy
24-SMPD
Rozpraszanie mocy (maks.)
570W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
250V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
132A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
364nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
23800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 40198 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe MMIX1F180N25T
MMIX1F180N25T Części elektroniczne
MMIX1F180N25T Obroty
MMIX1F180N25T Dostawca
MMIX1F180N25T Dystrybutor
MMIX1F180N25T Tabela danych
MMIX1F180N25T Zdjęcia
MMIX1F180N25T Cena
MMIX1F180N25T Oferta
MMIX1F180N25T Najniższa cena
MMIX1F180N25T Szukaj
MMIX1F180N25T Nabywczy
MMIX1F180N25T Chip