Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXTR102N65X2
MOSFET N-CH 650V 54A ISOPLUS247
Numer części
IXTR102N65X2
Producent/marka
Seria
-
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
330W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
33 mOhm @ 51A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
152nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
10900pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 17299 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXTR102N65X2
IXTR102N65X2 Części elektroniczne
IXTR102N65X2 Obroty
IXTR102N65X2 Dostawca
IXTR102N65X2 Dystrybutor
IXTR102N65X2 Tabela danych
IXTR102N65X2 Zdjęcia
IXTR102N65X2 Cena
IXTR102N65X2 Oferta
IXTR102N65X2 Najniższa cena
IXTR102N65X2 Szukaj
IXTR102N65X2 Nabywczy
IXTR102N65X2 Chip