Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFR38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Numer części
IXFR38N80Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
ISOPLUS247™
Pakiet urządzeń dostawcy
ISOPLUS247™
Rozpraszanie mocy (maks.)
416W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
190nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8340pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 24125 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2 Części elektroniczne
IXFR38N80Q2 Obroty
IXFR38N80Q2 Dostawca
IXFR38N80Q2 Dystrybutor
IXFR38N80Q2 Tabela danych
IXFR38N80Q2 Zdjęcia
IXFR38N80Q2 Cena
IXFR38N80Q2 Oferta
IXFR38N80Q2 Najniższa cena
IXFR38N80Q2 Szukaj
IXFR38N80Q2 Nabywczy
IXFR38N80Q2 Chip