Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFP4N85X

IXFP4N85X

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Numer części
IXFP4N85X
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB (IXFP)
Rozpraszanie mocy (maks.)
150W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
850V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5 Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
7nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
247pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29782 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFP4N85X
IXFP4N85X Części elektroniczne
IXFP4N85X Obroty
IXFP4N85X Dostawca
IXFP4N85X Dystrybutor
IXFP4N85X Tabela danych
IXFP4N85X Zdjęcia
IXFP4N85X Cena
IXFP4N85X Oferta
IXFP4N85X Najniższa cena
IXFP4N85X Szukaj
IXFP4N85X Nabywczy
IXFP4N85X Chip