Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFP110N15T2
MOSFET N-CH 150V 110A TO-220
Numer części
IXFP110N15T2
Producent/marka
Seria
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 175°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220AB
Rozpraszanie mocy (maks.)
480W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
150V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
13 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
150nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 10064 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFP110N15T2
IXFP110N15T2 Części elektroniczne
IXFP110N15T2 Obroty
IXFP110N15T2 Dostawca
IXFP110N15T2 Dystrybutor
IXFP110N15T2 Tabela danych
IXFP110N15T2 Zdjęcia
IXFP110N15T2 Cena
IXFP110N15T2 Oferta
IXFP110N15T2 Najniższa cena
IXFP110N15T2 Szukaj
IXFP110N15T2 Nabywczy
IXFP110N15T2 Chip