Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFP22N65X2M
MOSFET N-CH
Numer części
IXFP22N65X2M
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
-
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Through Hole
Opakowanie/etui
TO-220-3 Full Pack
Pakiet urządzeń dostawcy
TO-220 Isolated Tab
Rozpraszanie mocy (maks.)
37W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
37nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
2190pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54456 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFP22N65X2M
IXFP22N65X2M Części elektroniczne
IXFP22N65X2M Obroty
IXFP22N65X2M Dostawca
IXFP22N65X2M Dystrybutor
IXFP22N65X2M Tabela danych
IXFP22N65X2M Zdjęcia
IXFP22N65X2M Cena
IXFP22N65X2M Oferta
IXFP22N65X2M Najniższa cena
IXFP22N65X2M Szukaj
IXFP22N65X2M Nabywczy
IXFP22N65X2M Chip