Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227
Numer części
IXFN82N60Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
275nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 38722 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN82N60Q3
IXFN82N60Q3 Części elektroniczne
IXFN82N60Q3 Obroty
IXFN82N60Q3 Dostawca
IXFN82N60Q3 Dystrybutor
IXFN82N60Q3 Tabela danych
IXFN82N60Q3 Zdjęcia
IXFN82N60Q3 Cena
IXFN82N60Q3 Oferta
IXFN82N60Q3 Najniższa cena
IXFN82N60Q3 Szukaj
IXFN82N60Q3 Nabywczy
IXFN82N60Q3 Chip