Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN100N10S3
MOSFET N-CH 100V 100A SOT-227B
Numer części
IXFN100N10S3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Obsolete
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-40°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
360W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
180nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
4500pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±20V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 23046 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN100N10S3
IXFN100N10S3 Części elektroniczne
IXFN100N10S3 Obroty
IXFN100N10S3 Dostawca
IXFN100N10S3 Dystrybutor
IXFN100N10S3 Tabela danych
IXFN100N10S3 Zdjęcia
IXFN100N10S3 Cena
IXFN100N10S3 Oferta
IXFN100N10S3 Najniższa cena
IXFN100N10S3 Szukaj
IXFN100N10S3 Nabywczy
IXFN100N10S3 Chip