Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN80N50Q2
MOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B
Numer części
IXFN80N50Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
890W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
250nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12800pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 54082 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN80N50Q2
IXFN80N50Q2 Części elektroniczne
IXFN80N50Q2 Obroty
IXFN80N50Q2 Dostawca
IXFN80N50Q2 Dystrybutor
IXFN80N50Q2 Tabela danych
IXFN80N50Q2 Zdjęcia
IXFN80N50Q2 Cena
IXFN80N50Q2 Oferta
IXFN80N50Q2 Najniższa cena
IXFN80N50Q2 Szukaj
IXFN80N50Q2 Nabywczy
IXFN80N50Q2 Chip