Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN64N60P
MOSFET N-CH 600V 50A SOT-227
Numer części
IXFN64N60P
Producent/marka
Seria
PolarHV™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
700W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
96 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
200nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
12000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 49683 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN64N60P
IXFN64N60P Części elektroniczne
IXFN64N60P Obroty
IXFN64N60P Dostawca
IXFN64N60P Dystrybutor
IXFN64N60P Tabela danych
IXFN64N60P Zdjęcia
IXFN64N60P Cena
IXFN64N60P Oferta
IXFN64N60P Najniższa cena
IXFN64N60P Szukaj
IXFN64N60P Nabywczy
IXFN64N60P Chip