Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN62N80Q3
MOSFET N-CH 800V 49A SOT-227
Numer części
IXFN62N80Q3
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
960W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
140 mOhm @ 31A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
270nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
13600pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 48140 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN62N80Q3
IXFN62N80Q3 Części elektroniczne
IXFN62N80Q3 Obroty
IXFN62N80Q3 Dostawca
IXFN62N80Q3 Dystrybutor
IXFN62N80Q3 Tabela danych
IXFN62N80Q3 Zdjęcia
IXFN62N80Q3 Cena
IXFN62N80Q3 Oferta
IXFN62N80Q3 Najniższa cena
IXFN62N80Q3 Szukaj
IXFN62N80Q3 Nabywczy
IXFN62N80Q3 Chip