Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN56N90P

IXFN56N90P

MOSFET N-CH 900V 56A SOT-227B
Numer części
IXFN56N90P
Producent/marka
Seria
Polar™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
1000W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
900V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
135 mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 3mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
375nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
23000pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 29614 PCS
Informacje kontaktowe
Słowa kluczowe IXFN56N90P
IXFN56N90P Części elektroniczne
IXFN56N90P Obroty
IXFN56N90P Dostawca
IXFN56N90P Dystrybutor
IXFN56N90P Tabela danych
IXFN56N90P Zdjęcia
IXFN56N90P Cena
IXFN56N90P Oferta
IXFN56N90P Najniższa cena
IXFN56N90P Szukaj
IXFN56N90P Nabywczy
IXFN56N90P Chip