Obraz może przedstawiać obraz.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
Szczegóły produktu można znaleźć w specyfikacjach.
IXFN38N80Q2
MOSFET N-CH 800V 38A SOT-227
Numer części
IXFN38N80Q2
Producent/marka
Seria
HiPerFET™
Stan części
Active
Opakowanie
Tube
Technologia
MOSFET (Metal Oxide)
temperatura robocza
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ mocowania
Chassis Mount
Opakowanie/etui
SOT-227-4, miniBLOC
Pakiet urządzeń dostawcy
SOT-227B
Rozpraszanie mocy (maks.)
735W (Tc)
Typ FET
N-Channel
Funkcja FET
-
Napięcie dren-źródło (Vdss)
800V
Prąd — ciągły dren (Id) @ 25°C
38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
220 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) @ Vgs
190nC @ 10V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
8340pF @ 25V
Napięcie napędu (maks. Rds włączone, Min. Rds włączone)
10V
Vgs (maks.)
±30V
Poproś o wycenę
Wypełnij wszystkie wymagane pola i kliknij „WYŚLIJ”, skontaktujemy się z Tobą w ciągu 12 godzin e-mailem. Jeśli masz jakiś problem, zostaw wiadomość lub wyślij e-mail do [email protected], odpowiemy tak szybko, jak to możliwe.
W magazynie 33619 PCS
Informacje kontaktowe
Produkty powiązane
Słowa kluczowe IXFN38N80Q2
IXFN38N80Q2 Części elektroniczne
IXFN38N80Q2 Obroty
IXFN38N80Q2 Dostawca
IXFN38N80Q2 Dystrybutor
IXFN38N80Q2 Tabela danych
IXFN38N80Q2 Zdjęcia
IXFN38N80Q2 Cena
IXFN38N80Q2 Oferta
IXFN38N80Q2 Najniższa cena
IXFN38N80Q2 Szukaj
IXFN38N80Q2 Nabywczy
IXFN38N80Q2 Chip